不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制

• 作者: 孙涛 李言谨 梁晋穗 胡晓宁 陈兴国 陈文桥
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: HgCdTe 光伏探测器 钝化 倒易点阵 暗电流
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 143-147
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2383字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.01.029

摘要

在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种光伏探测器,对器件的性能进行了测试,发现双层钝化的器件具有较好的性能.通过理论计算,分析了器件的暗电流机制,发现单层钝化具有较高的表面隧道电流.通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高表面隧道电流的原因.