不同结构的碲镉汞长波光伏探测器的暗电流研究

• 作者: 何力 叶振华 廖清君 张海燕 李言谨 胡晓宁
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光伏探测器 HgCdTe 暗电流 R0A 异质结
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 86-90
• 页数: 5页
• 分类号: TB4
• 字数: 3389字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2004.02.002

摘要

对B+注入的n-on-p平面结和分子束外延(MBE)技术原位铟掺杂的n+-n-p台面异质结的碲镉汞(HgCdTe)长波光伏探测器暗电流进行了对比分析.与n-on-p平面结器件相比,原位掺杂的n+-n-p台面异质结器件得到较高的零偏动态阻抗-面积值(R0A).通过与实验数据拟合,从理论上计算了这两种结构的器件在不同温度下的R0A和在不同偏压下的暗电流,得到一些相关的材料和器件性能参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡晓宁	中国科学院上海技术物理研究所材料与器件中心	31	241	9.0	14.0
2	李言谨	中国科学院上海技术物理研究所材料与器件中心	24	187	8.0	13.0
3	张海燕	中国科学院上海技术物理研究所材料与器件中心	68	628	14.0	22.0
4	何力	中国科学院上海技术物理研究所材料与器件中心	54	417	13.0	17.0
5	叶振华	中国科学院上海技术物理研究所材料与器件中心	29	259	9.0	14.0
6	廖清君	中国科学院上海技术物理研究所材料与器件中心	4	34	2.0	4.0