1MeV电子室温辐照对中波HgCdTe光伏器件暗电流的影响

• 作者: 周东 张翔 文林 李豫东 王志铭 郭旗 马林东
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: HgCdTe 光伏器件 暗电流 电子辐照 辐射效应 位移损伤
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 59-65
• 页数: 7页
• 分类号: TP211.6
• 字数: 4607字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2019.030604

摘要

在室温下开展了1 MeV电子对HgCdTe光伏器件的辐照试验,通过比较电子辐照前、后及室温退火后器件的I-V特性与零偏动态电阻R0,分析了电子辐照对HgCdTe光伏器件暗电流及R0的影响机制.结果 表明,随着电子吸收剂量的增加,HgCdTe光伏器件的暗电流减小,R0增大.室温退火后,HgCdTe光伏器件的暗电流和R0均有明显恢复.分析认为,电子辐照在HgCdTe光伏器件中产生位移损伤,在P区中引入大量的施主型缺陷,使P区空穴浓度迅速下降,少数载流子寿命增加,从而导致暗电流减小,R0增大.