低温退火对HgCdTe中波光导器件γ辐照效应的影响

• 作者: 乔辉 李向阳 白云 龚海梅
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: γ辐照 HgCdTe 退火 辐照效应
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 301-304
• 页数: 4页
• 分类号: TN364
• 字数: 2480字
• 语种: 中文

摘要

研究了低温退火对HgCdTe中波光导探测器γ射线辐照效应的影响.经过剂量为1 Mrad的辐照后,器件的性能下降.对经过辐照的器件进行低温退火,退火温度范围为313～333 K,退火时间在5～16 h之间不等.在相同条件下测量了器件辐照前后及不同退火温度、不同退火时间下的体电阻、响应率、探测率和响应光谱.通过对比辐照前后及不同退火温度下性能参数的变化,分析了退火对器件的γ辐照效应的影响.实验表明:低温退火对辐照引起的性能的下降有一定的恢复作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔辉		1	1	1.0	1.0
2	李向阳		4	6	1.0	2.0
3	龚海梅		11	35	4.0	5.0