表面沟道漏电对长波光伏HgCdTe器件性能的影响

• 作者: 彭震宇 赵鸿燕 鲁正雄
• 来源期刊: 航空兵器
• 学科: 工学
• 关键词: 长波光伏HgCdTe器件 伏安特性 表面漏电流
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 红外与激光技术
• 页码范围: 20-22
• 页数: 3页
• 分类号: TN215|TJ765.3
• 字数: 1122字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5048.2005.06.005

摘要

研究了表面沟道漏电流对长波n-pHgCdTe光伏器件性能的影响.通过对栅控HgCdTe二极管I-V特性的研究,证实了表面势引入的表面漏电对长波HgCdTe光伏器件反向I-V特性具有较大的影响,提出了改进方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭震宇		6	15	3.0	3.0
2	鲁正雄		19	80	5.0	7.0
3	赵鸿燕		25	147	7.0	11.0