砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列的制备与性能

• 作者: 何力 徐竟杰 李海滨 林春 陈兴国 魏彦峰
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: As掺HgCdT 长波HgCdTe红外光电二极管阵列 伏安特性 表面处理工艺
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 403-406
• 页数: 4页
• 分类号: TN215
• 字数: 3564字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2012.00403

摘要

采用砷(As)掺杂HgCdTe材料研制了响应截止波长为12.5 μm,规格为256×1的长波红外光电二极管阵列.实验设计了一种新的pn结测量方法,测量发现砷掺长波HgCdTe材料离子注入形成pn结深度在3.6～5.3 μm之间,而其最大横向尺寸大约是设计尺寸的1.3倍.实验采用一种改进的表面处理工艺制备了砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列,获得了良好的电学性能,该工艺与常规表面处理工艺相比可以使器件峰值阻抗提高2个量级,而-0.5v偏压下的动态电阻可提高约30倍.研究认为,器件性能提高的原因是由于改进工艺可以有效抑制器件表面漏电流.