回熔过程对HgCdTe长波红外光伏探测器的Ⅰ-Ⅴ性能的影响

• 作者: 孙柏蔚 胡晓宁
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电子学 HgCdTe长波器件 回熔 暗电流
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 221-224
• 页数: 4页
• 分类号: O472
• 字数: 1871字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2007.02.018

摘要

对三种不同工艺的HgCdTe长波器件(标准工艺、回熔处理、离子注入后退火)的Ⅰ-Ⅴ性能分别进行测试,并通过理论计算与实验数据拟合提取上述器件参数,分析暗电流机制及导致暗电流变化的原因.文章中使用的暗电流机制的模型由扩散电流、产生-复合电流、缺陷辅助隧道电流和直接隧道电流组成.从拟合得到的器件参数中可以发现回熔过程中产生了大量的缺陷,导致缺陷辅助隧道电流、产生复合电流显著增加,器件反偏电阻减小,Ⅰ-Ⅴ性能变差.与离子注入后退火器件的性能变化相比,推测导致器件回熔后性能下降的原因是ZnS钝化层受热不稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡晓宁	中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心	31	241	9.0	14.0
2	孙柏蔚	中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心	2	5	1.0	2.0