HgCdTe长波光伏探测器的表面漏电流及1/f噪声研究

• 作者: 孙涛 李言谨 胡晓宁 陈兴国
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: HgCdTe 光伏探测器 钝化 表面漏电流 1/f噪声 倒易点阵
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3357-3362
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3079字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.068

摘要

在同一Hg1-xCdxTe晶片上(x=0.217)制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种器件,对器件烘烤前后的暗电流和1/f噪声进行了测试,烘烤前发现,ZnS钝化的器件在反偏较大时具有较大的表面隧道电流,而这种表面漏电流是ZnS钝化器件具有较大1/f噪声电流的原因,通过高分辨x射线衍射中的倒易点阵技术(reciprocalspace mapping,RSM)研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是ZnS钝化器件具有较大表面漏电流和1/f噪声的原因.经过高温烘烤后,ZnS钝化的器件暗电流和1/f噪声增加,而双层钝化器件经过高温烘烤后性能提高.RSM的研究表明,高温烘烤后ZnS钝化的HgCdTe外延层产生大量缺陷,这些缺陷正是单层钝化器件表面漏电流和1/f噪声电流增加的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡晓宁	中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心	31	241	9.0	14.0
2	李言谨	中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心	24	187	8.0	13.0
3	陈兴国	中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心	5	51	4.0	5.0
4	孙涛	中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心	100	734	14.0	23.0