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摘要:
在同一Hg1-xCdxTe晶片上(x=0.217)制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种器件,对器件的低频噪声和暗电流进行了测试.发现单层钝化的器件在反偏较高时具有较高的低频噪声,在对器件的暗电流拟合计算中发现,单层钝化的器件具有较大的表面隧道电流,而这正是单层钝化器件具有较高低频噪声的原因.并通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术RSM(reciprocal space mapping)研究了两种钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高的低频噪声和表面隧道电流的原因.
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文献信息
篇名 Hg1-xCdxTe长波光伏探测器的低频噪声研究
来源期刊 红外与毫米波学报 学科 工学
关键词 HgCdTe 光伏探测器 钝化 倒易点阵 暗电流
年,卷(期) 2005,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 273-276
页数 4页 分类号 TN304.2
字数 2552字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1001-9014.2005.04.008
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研究主题发展历程
节点文献
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研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
红外与毫米波学报
双月刊
1001-9014
31-1577/TN
大16开
上海市玉田路500号
4-335
1982
chi
出版文献量(篇)
2620
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3
总被引数(次)
28003
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