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摘要:
测量了Hg1-xCdxTeTe光导探测器中电阻率与温度及磁场强度的关系.在Shubnikov-deHaas(SdH)测量中,发现了表面电子的浓度在1.2~55K的范围内没有变化.一个包括体电子和两类表面电子的三带模型被用来分析电阻率随温度变化的关系,由此得到的电学参数与实验及SdH测量获得的结果非常符合.
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文献信息
篇名 Hg1-xCdxTe光导探测器的电学参量分析
来源期刊 红外与毫米波学报 学科 工学
关键词 光导探测器 Shubnikov-deHaas效应 Hg1-xCdxTe
年,卷(期) 1999,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 317-321
页数 分类号 TN6
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1001-9014.1999.04.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蔡毅 29 641 12.0 25.0
2 郑国珍 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 6 33 3.0 5.0
3 褚君浩 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 103 650 13.0 22.0
4 郭少令 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 9 33 3.0 5.0
5 桂永胜 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 7 14 3.0 3.0
6 汤定元 1 0 0.0 0.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
光导探测器
Shubnikov-deHaas效应
Hg1-xCdxTe
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外与毫米波学报
双月刊
1001-9014
31-1577/TN
大16开
上海市玉田路500号
4-335
1982
chi
出版文献量(篇)
2620
总下载数(次)
3
总被引数(次)
28003
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