采用ZnCdTe衬底的MBE Hg1-xCdxTe 位错密度研究

• 作者: 乔怡敏 于梅芳 何力 巫艳 杨建荣 陈路
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 Hg1-xCdxTe 位错密度
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 页码范围: 23-27
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 3487字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2002.01.006

摘要

报道了用MBE的方法,在ZnCdTe衬底上制备Hg1-xCdxTe薄膜的位错密度的研究结果.研究发现Hg1-xCdxTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、Hg1-xCdxTe生长条件以及材料组分密切相关.通过衬底制备以及生长条件的优化,在ZnCdTe衬底上生长的长波Hg1-xCdxTe材料EPD平均值达到4.2×105cm-2,标准差为3.5×105cm-2,接近ZnCdTe衬底的位错极限.可重复性良好,材料位错合格率为73.7%,可满足高性能Hg1-xCdxTe焦平面探测器对材料位错密度的要求.