非掺杂p型MBE-Hg1-xCdxTe材料的受主性质

• 作者: 何力 方维政 杨建荣 王善力 陈新强
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 碲镉汞 热处理
• 年，卷（期）: 1998,（1）
• 页码范围: 25-30
• 页数: 6页
• 分类号: TB3
• 字数: 3149字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.1998.01.005

摘要

对经250℃ p型热处理获得的Hg1-xCdxTe(x≈0.24)MBE材料进行变温霍耳测量和理论拟合计算,由此得到HgCdTe-MBE材料的受主浓度为2～3×1016cm-3,残余施主浓度为5×1015cm-3左右.两者相比显示材料的补偿度较低,拟合得到的汞空位受主能级为15～18meV,这也与低补偿情况下的理论预计值相符,结果表明以往p型HgCdTe外延材料补偿度较大并非外延工艺的固有特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨建荣	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室和半导体薄膜材料研究中心	38	175	7.0	11.0
2	陈新强	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室和半导体薄膜材料研究中心	12	49	5.0	6.0
3	方维政	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室和半导体薄膜材料研究中心	20	91	6.0	8.0
4	王善力	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室和半导体薄膜材料研究中心	4	12	2.0	3.0