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摘要:
研究了HgCdTe中波叠层光导器件在不同背景辐射条件下的性能变化,设计了增加冷光栏和使用不同温度的黑体对器件进行辐照的两种改变背景辐射的实验方案.结果表明,随着背景辐射的减小,器件的测量噪声亦减小.利用非平衡载流子和器件有效寿命理论对器件的产生复合噪声进行了计算,计算结果与实验结果在随背景辐射变化的趋势上相似.进一步的噪声频谱测量表明,1/f噪声是叠层器件噪声随背景辐射变化的主要原因;而叠层结构中存在的边缘接触不对称MIS结构增大了背景辐射变化对1/f噪声的影响.
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文献信息
篇名 背景辐射对HgCdTe中波叠层光导器件噪声的影响
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 HgCdTe 叠层结构 背景辐射 噪声
年,卷(期) 2007,(6) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 958-962
页数 5页 分类号 TN304.2+6
字数 3784字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.06.027
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 方家熊 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室 39 184 7.0 11.0
2 张燕 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室 84 800 13.0 26.0
3 徐国森 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室 7 54 4.0 7.0
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研究主题发展历程
节点文献
HgCdTe
叠层结构
背景辐射
噪声
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研究分支
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
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1980
eng
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