n-HgCdTe 光导器件的两种表面钝化研究

• 作者: 周咏东 方家熊 汤定元
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 器件表面钝化 CdTe HgCdTe Ar+束溅射沉积
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 233-236
• 页数: 4页
• 分类号: TN2
• 字数: 3081字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2000.03.018

摘要

利用Ar+束溅射沉积技术实现了CdTe薄膜的低温生长,利用电化学方法进行了HgCdTe表面自身阳极氧化膜的生长,利用生长的CdTe介质膜和HgCdTe表面自身阳极氧化膜对n-HgCdTe光导器件进行了表面钝化.对两种器件的电阻、各项性能指标进行了测量分析,实验表明得到的CdTe/HgCdTe界面质量已达到器件实用化水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汤定元	中国科学院上海技术物理研究所	16	70	4.0	7.0
2	方家熊	中国科学院上海技术物理研究所	39	184	7.0	11.0
3	周咏东	苏州大学物理系	8	40	3.0	6.0