n-HgCdTe表面积累层的定量迁移率谱研究

• 作者: 桂永胜 蔡毅 褚君浩 郑国珍
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 化学
• 关键词: 定量迁移率谱分析 表面积累层 HgCdTe
• 年，卷（期）: 1998,（3）
• 页码范围: 182-186
• 页数: 5页
• 分类号: O65
• 字数: 2476字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.1998.03.005

摘要

利用定量迁移率谱技术,通过对霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系,获得了n-HgCdTe光导器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率,结果与Shubnikov-de Hass实验和理论计算的结果非常吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡毅		29	641	12.0	25.0
2	郑国珍	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	6	33	3.0	5.0
3	褚君浩	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	103	650	13.0	22.0
4	桂永胜	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	7	14	3.0	3.0