HgCdTe光伏探测器在高温背景辐照下的I-V特性分析

• 作者: 李言谨 王晨飞
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: HgCdTe 高温背景辐照 碰撞离子化 微分阻抗
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 257-260
• 页数: 4页
• 分类号: O472
• 字数: 3529字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2006.04.004

摘要

对中波HgCdTe光伏探测器进行了不同目标温度范围的黑体辐射I-V测试研究,结果表明器件光电流随着目标辐射的升高逐渐上升,同时器件微分阻抗随之下降;在同一背景红外辐射下,器件微分阻抗随着反向偏压的增加而下降.采用"lucky electron"模型对器件的R-V曲线进行了拟合,结果证实器件反偏微分电阻下降的主要原因是由于pn结耗尽区光生载流子的激增,碰撞电离导致的光电倍增效应所引起.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李言谨	中国科学院上海技术物理研究所	24	187	8.0	13.0
2	王晨飞	中国科学院上海技术物理研究所	4	46	3.0	4.0