1 MeV电子辐照对HgCdTe材料红外透射光谱的影响

• 作者: 乔辉 冯婕 周东 文林 李豫东 林加木 玛丽娅·黑尼 郭旗
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: HgCdTe材料 红外透射光谱 电子辐照 位移损伤
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 52-56
• 页数: 5页
• 分类号: TP211.6|O472.8
• 字数: 3122字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2017.040607

摘要

针对红外探测器在空间应用中受高能粒子辐照后性能衰退的问题,利用电子束辐照实验,开展了位移损伤对HgCdTe材料红外透射光谱影响的研究.通过对比辐照前后材料的性能变化,结合光在材料中的传播过程及半导体辐射效应理论,分析了位移损伤对HgCdTe材料红外透射光谱的影响机制.结果表明:HgCdTe材料经电子辐照后,红外透射光谱发生衰退,衰退的幅度随辐照注量的增大而增大,且短波方向上的衰退幅度大于长波方向上的衰退幅度.该工作可为深入开展HgCdTe红外探测器辐射损伤效应及损伤机理的研究提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭旗	中国科学院新疆理化技术研究所	50	338	10.0	16.0
2	乔辉	中国科学院上海技术物理研究所	16	44	4.0	6.0
3	周东	中国科学院新疆理化技术研究所	13	89	6.0	9.0
4	林加木	中国科学院上海技术物理研究所	6	12	2.0	3.0
5	冯婕	中国科学院新疆理化技术研究所	10	69	4.0	8.0
6	李豫东	中国科学院新疆理化技术研究所	10	17	2.0	3.0
7	文林	中国科学院新疆理化技术研究所	8	25	3.0	5.0
8	玛丽娅·黑尼	中国科学院新疆理化技术研究所	1	2	1.0	1.0