HgCdTe钝化过程中形成的镶嵌结构及其热处理效应

• 作者: 孙涛 李言谨 梁晋穗 王庆学 胡晓宁 陈兴国 陈文桥
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: HgCdTe CdTe 钝化 二维点阵
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 62-66
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2434字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.01.013

摘要

通过高分辨X射线衍射仪中的二维点阵研究了溅射的CdTe介质膜对HgCdTe外延层的影响.发现在高溅射能量下沉积的钝化膜由于应力的作用,HgCdTe晶片出现弯曲及大量镶嵌结构,而这种镶嵌结构可通过合理的热处理工艺消除.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡晓宁	中国科学院上海技术物理研究所功能材料器件中心	31	241	9.0	14.0
2	陈文桥	中国科学院上海技术物理研究所功能材料器件中心	2	2	1.0	1.0
3	王庆学	中国科学院上海技术物理研究所功能材料器件中心	14	65	5.0	7.0
4	陈兴国	中国科学院上海技术物理研究所功能材料器件中心	5	51	4.0	5.0
5	孙涛	中国科学院上海技术物理研究所功能材料器件中心	100	734	14.0	23.0
6	梁晋穗	中国科学院上海技术物理研究所功能材料器件中心	3	22	2.0	3.0
7	李言谨		1	0	0.0	0.0