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半导体学报(英文版)2004年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 利用电子运动速度过冲现象,设计出了一种新结构复合收集区InGaP/GaAs异质结双极晶体管.这种结构不仅提高了器件的截止频率,而且降低了影响器件直流性能的补偿电压.所制备器件的截止频率达到7...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 介绍了一种预失真线性化单片电路,该电路单电源工作,采用预失真技术结合有源反馈的方法,完成了单片预失真线性化电路的研制.预失真线性化单片电路采用75mm GaAs MMIC工艺研制,芯片面积约...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 采用普通接触曝光研制成栅长为0.25μm的GaAs基InAlAs/InGaAs变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT),测得其跨导为522mS/mm,沟道电流密度达490mA/mm,截止频率为...
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64. 碳化硅CMOS反相器的特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 建立了6H-SiC CMOS反相器的电路结构和物理模型,并利用MEDICI软件对其特性进行了模拟.研究了SiC CMOS反相器的温度特性,结果表明,室温下沟道长度为1.5μm的6H-SiC ...
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65. 一种基于混沌的真随机源电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 提出了一种基于混沌的随机源电路,通过利用电容上电荷的再分配,实现了一个离散混沌系统.该电路在0.8μm CMOS工艺下流片成功,核心面积小于4200μm2,功耗小于1mW,优于目前已有的几种...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 采用冲击试验方法研究了各向异性导电胶膜(ACF)互连的玻璃和柔性基板上倒装芯片(COG和COF)的剪切结合强度.结果表明:COF比COG的剪切强度高.ACF的固化程度达85%时有最大的结合强...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 在CMOS工艺超浅结形成过程中,中、低能离子注入的剂量效应直接影响杂质浓度的分布和超浅结的形成.文中基于实验数据对剂量效应对注入离子浓度分布曲线的影响进行了分析,这种影响随着注入粒子种类的改...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 提出并实现了以分段分类思想为基础的掩模版优化算法,它是一种基于模型的光学邻近效应方法.该算法具有矫正精度高、灵活性强和矫正效率较高的特点,适合于版图中关键图形的矫正.实验表明,该优化算法可以...
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69. 用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 采用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅,一次曝光,分步显影,基本解决了不同胶层间互融的问题.该方法制作效率高,所制作的T型栅形貌好,头脚比例可控,基本满足器件制作要求.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 研制成一种台阶沟道直接注入(SCDI)器件,通过在沟道的中间制作一个浅的台阶来改变热载流子的注入方式,从而获得了高的编程速度和注入效率,降低了工作电压.并对SCDI器件结构和常规器件结构进行...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 采用0.18μm/1.8V 1P6M数字CMOS工艺设计并实现了一种用于高性能32位RISC微处理器的64kb四路组相联片上高速缓冲存储器(cache).当采用串行访问方式时,该四路组相联c...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 提出了一种针对单片集成开关电容DC-DC变换器进行优化的设计方案.阐述了开关电容DC-DC变换器电路的拓扑结构及其基本工作原理,给出了单片集成开关电容DC-DC变换器的等效电阻控制方法.考虑...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 设计了一个新的无存储器的基-2 1024点FFT旋转因子产生电路.这个旋转因子产生电路用若干逻辑模块来产生数据,然后用这些数据合成所需要的旋转因子.用Synopsys Power Compi...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 选择分模块的数据通道作为高层次综合的目标结构,完整地定义了同时实现算子调度和数据流图划分的高层次综合算法,并提出一种有效的启发式求解方法.与传统的结构相比,由于在关键路径中消除了全局连线的延...
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75. 串扰噪声约束下的过点分配算法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 提出了一种在过点分配阶段解决噪声耦合效应问题的算法.该算法采用优先队列同拆线重布策略相结合的方法,控制由互连线耦合电容引起的串扰噪声.算法中,首先按照线长和约束限制,将线网划分到若干个优先队...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 采用双晶X射线衍射仪测量了相同注入能量、不同注入剂量的As+/N2+组合离子注入Si的衍射曲线,借助X射线衍射的运动学理论和离子注入的多层模型,对衍射曲线进行拟合,得到了晶格应变随注入深度的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 采用离子束溅射反应沉积技术,以高纯N2为工作气体,利用在不同气压下产生的离子束轰击石墨靶,在石英基片上溅射出的碳原子与氮离子反应,沉积出a-CNx薄膜.在室温下,研究薄膜的暗电导和在卤素光源...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 利用溶胶-凝胶提拉技术在低阻硅衬底上以钛酸铅(PT)作缓冲层,成功地制备了锆钛酸铅(PZT)高介电常数介质膜,其锆钛组分比为45∶55.研究了薄膜结晶状态与制备条件的关系及相应的介电、铁电特...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 采用AlN插入层技术在Si(111)衬底上实现无微裂GaN MOCVD生长.通过对GaN外延层的a,c轴晶格常数的测量,得到了GaN所受张应力与AlN插入层厚度的变化关系.当AlN厚度在7～...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 利用熔融KOH液对单层GaN腐蚀后进行二次MOCVD外延生长,对不同二次生长时间的薄膜及生长前的薄膜进行扫描电子显微、X射线衍射和光致发光测试,实验结果表明二次生长2h的薄膜具有最低的位错密...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 报道了分别采用剂量为1×1016,1×1017,5×1017和1×1018cm-2的高剂量Ge离子注入,不需退火即可在SiO2中直接形成Ge纳米晶的新现象.采用掠入射X射线衍射和激光喇曼谱等...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 分析了有ZnTe/ZnTe∶Cu插入层的CdTe太阳电池在能带结构上的变化.通过对比有无插入层的CdTe太阳电池在C-V特性、I-V特性、光谱响应上的不同,肯定了插入层对改善背接触特性的作用...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 提出了一种在线测试表面加工多晶硅薄膜热导率的结构,推导了热学模型,给出了测试方法,用ANSYS验证了热学模型.该方法避免了测试结构放置在真空中的缺点,有望在工艺线上得到应用.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 研究了超薄栅(2.5nm)短沟HALO-pMOSFETs在Vg=Vd/2应力模式下不同应力电压时热载流子退化特性.随着应力电压的变化,器件的退化特性也发生了改变.在加速应力下寿命外推方法会导...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 给出了槽栅MOSFET的阈值电压解析模型,该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律.分析和对比结果显示,该模型较好地表征了小尺寸槽栅器件的阈值电压特性,是一个较为理想的解析模...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 在对InGaP/GaAs HBT特性的研究中发现,发射极长边与主对准边垂直([011]方向)和平行([01 1]方向)放置时,其直流电流增益和截止频率是不同的.[011]方向的直流电流增益远...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 论述了多栅开关的结构和特点.针对多栅开关器件结构设计中的参数栅栅间距的选取作了分析,确定当栅栅间距等于源漏间距对栅数的平均值时,开关性能最优,并在实验中得到验证.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 设计并制作了双异质结双平面掺杂的Al0.24Ga0.76As/In0.22Ga0.78As/Al0.24Ga0.76As功率PHEMT器件,采用双选择腐蚀栅槽结构,有效提高了PHEMT器件的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 对AlGaN/GaN HEMT器件采用离子注入技术注入氦离子进行隔离,应用该技术制造出的器件在室温下具有很好的特性.器件的阈值电压在-3V左右时,源漏间电流为几十nA.肖特基势垒的反向漏电流...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 提出了一种主从式T/H电路,有效解决了折叠ADC预处理器限制输入信号带宽的问题,使预处理电路速度及稳定性得到大幅度改善;同时该T/H结构使用内部差分误差补偿技术,在高采样率情况下保持良好的精...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
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