As+/N2+组合离子注入Si的损伤退火及杂质浓度分布

• 作者: 肖鸿飞 韩宇 马德录 高雅君
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 组合离子注入 双晶X射线衍射 晶格应变 退火 杂质浓度
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 394-399
• 页数: 6页
• 分类号: O472
• 字数: 3565字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.04.007

摘要

采用双晶X射线衍射仪测量了相同注入能量、不同注入剂量的As+/N2+组合离子注入Si的衍射曲线,借助X射线衍射的运动学理论和离子注入的多层模型,对衍射曲线进行拟合,得到了晶格应变随注入深度的分布及辐射损伤分布.在500～900℃下进行等时热退火,对辐射损伤经退火的晶格恢复进行了研究.用LSS理论计算了同样注入条件下的杂质浓度分布,并对二者进行了比较分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩宇	辽宁大学物理系原子与辐射研究所	12	31	2.0	5.0
2	肖鸿飞	沈阳大学物理系	17	41	4.0	5.0
3	高雅君	辽宁大学物理系原子与辐射研究所	4	6	1.0	2.0
4	马德录	辽宁大学物理系原子与辐射研究所	1	0	0.0	0.0