附加O离子注入对单晶Si中H注入损伤的影响研究

• 作者: 王卓 田光 石少波
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 物理学
• 关键词: H离子注入 空腔 单晶Si
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 试验与技术
• 页码范围: 2600-2603,2610
• 页数: 5页
• 分类号: O483
• 字数: 2278字
• 语种: 中文

摘要

室温下将40 keV的H离子以不同剂量注入到单晶Si样品中,部分H预注入的样品又进行了190 keV O离子注入.采用光学显微镜和透射电子显微镜分析比较了注入及退火后单晶Si样品的表面损伤以及注入层微观缺陷的形貌.光学显微镜结果表明,只有高剂量H离子注入的单晶Si经过450℃退火后出现了表面发泡和剥离,而总剂量相同的H、O离子顺次注入单晶Si的样品没有出现任何表面损伤.透射电子显微镜结果表明,低剂量H离子注入单晶Si经过高温退火可以在样品内部形成一个由空腔构成的损伤带.附加O离子注入对损伤形貌产生了重要影响,空腔消失,损伤带由大量板状缺陷构成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王卓	天津职业技术师范大学理学院	4	3	1.0	1.0
2	田光	天津职业技术师范大学理学院	7	9	2.0	3.0
3	石少波	天津职业技术师范大学理学院	4	1	1.0	1.0