不同能量He离子注入单晶Si引起的损伤研究

• 作者: D.Alquier E.Ntsoenzok 刘昌龙 吕依颖 尹立军 阮永丰
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 单晶Si He离子注入 高温退火 He空腔 透射电子显微镜
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 页码范围: 714-719
• 页数: 6页
• 分类号: O77
• 字数: 4278字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.031

摘要

40、160和1550 keV能量的He离子在室温下注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016 ions/cm2,采用透射电子显微镜(TEM)研究了800℃退火1h在Si中引起的损伤形貌.结果表明,三种能量的He离子注入Si并经高温退火均能产生空腔,但空腔的形貌、尺寸以及分布深度都依赖于离子的能量.结合TRIM程序计算结果对空腔和其它缺陷产生对He离子能量的依赖性进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘昌龙	天津大学理学院物理系	20	33	3.0	4.0
3	阮永丰	天津大学理学院物理系	57	357	11.0	14.0
6	尹立军	天津大学理学院物理系	3	6	2.0	2.0
7	吕依颖	天津大学理学院物理系	3	6	2.0	2.0