H、He离子联合注入单晶Si引起的表面损伤研究进展

• 作者: 刘昌龙 王卓
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 物理学
• 关键词: H和He离子联合注入 表面损伤 智能剥离 单晶Si
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 1996-2000
• 页数: 5页
• 分类号: O483
• 字数: 3245字
• 语种: 中文

摘要

H和He离子联合注入单晶Si可以促使其表面产生发泡、剥落和层离等表面损伤,由此引发了一种有效地制备SOI材料的新方法,即智能剥离技术.文章简述了H和He离子注入单晶Si在随后的热处理过程中引起表面损伤的机理,探讨了注入条件变化对表面损伤的影响,提出了该领域存在的关键问题并介绍了智能剥离技术在现代半导体技术中潜在的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘昌龙	天津大学理学院	20	33	3.0	4.0
2	王卓	天津职业技术师范大学理学院	4	3	1.0	1.0