组合离子注入的杂质浓度分布与损伤分布比较

• 作者: 姜树森 张宏 韩宇
• 来源期刊: 辽宁大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 组合离子注入 双晶X射线衍射 晶格应变 杂质
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 4-7
• 页数: 4页
• 分类号: O561.5
• 字数: 3086字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2004.01.002

摘要

用LSS理论,计算了注入能量为180keV,注入剂量为1×1013～5×1015ion/cm2的N+2/As+组合离子注入Si的杂质浓度分布,由X射线衍射的运动学理论,利用多层模型和试探应变函数拟合X射线衍射曲线,得到了晶格应变随注入深度的分布,并将二者进行了比较.结果表明N+2/As+组合离子注入单晶Si的应变分布曲线为单峰,位于杂质浓度分布曲线的双峰之间,靠近重离子峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩宇	辽宁大学物理系	12	31	2.0	5.0
2	张宏	辽宁大学物理系	12	37	4.0	6.0
3	姜树森	辽宁大学物理系	1	0	0.0	0.0