SUPREM-Ⅲ进行集成电路离子注入的工艺模拟

• 作者: 刘欢 王健 魏立峰
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 离子注入 沟道效应 工艺模拟
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 仿真技术
• 页码范围: 283-284,236
• 页数: 3页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0570.2007.07.115

摘要

随着集成电路工艺的不断发展,工艺模拟软件功能也在不断的改善,但不足之处也不断暴露出来,工艺模拟过程中没有考虑仪器本身影响.所以在工艺模拟中有必要建立一个模型,本文以离子注入工艺为例,研究沟道效应对离子注入工艺的影响,并在计算机上采用SUPREM-Ⅲ完成离子注入工艺初始条件的编辑以及离子注入工艺模拟,并对模拟结果曲线进行比较.