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SUPREM-Ⅲ进行集成电路氧化一扩散工艺模拟
SUPREM-Ⅲ进行集成电路氧化一扩散工艺模拟
作者:
刘欢
王健
边福强
魏立峰
原文服务方:
科技与创新
SUPREM-Ⅲ
氧化扩散
工艺模拟
摘要:
随着集成电路工艺的不断发展,工艺模拟软件功能也在不断的改善,本文以氧化扩散工艺为例,并在计算机上采用SUPREM-Ⅲ完成氧化扩散初始条件的编辑以及工艺模拟.并对模拟结果进行分析比较.从而对氧化、扩散工艺操作过程有直观的了解,避免了复杂的工程计算.
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文献信息
篇名
SUPREM-Ⅲ进行集成电路氧化一扩散工艺模拟
来源期刊
科技与创新
学科
关键词
SUPREM-Ⅲ
氧化扩散
工艺模拟
年,卷(期)
2007,(12)
所属期刊栏目
软件时空
研究方向
页码范围
273-275
页数
3页
分类号
TN405
字数
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1008-0570.2007.12.109
五维指标
传播情况
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全文
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研究主题发展历程
节点文献
SUPREM-Ⅲ
氧化扩散
工艺模拟
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
科技与创新
主办单位:
山西科技新闻出版传媒集团
出版周期:
半月刊
ISSN:
2095-6835
CN:
14-1369/N
开本:
大16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
2014-01-01
语种:
chi
出版文献量(篇)
41653
总下载数(次)
0
总被引数(次)
202805
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