针对少子寿命提升的扩散工艺优化

• 作者: 杨佳 杨利利 武建
• 来源期刊: 太阳能
• 关键词: 扩散 少子寿命 转换效率
• 年，卷（期）: 2013,（17）
• 所属期刊栏目: 技术产品与工程
• 页码范围: 43-45
• 页数: 3页
• 字数: 1712字
• 语种: 中文

摘要

扩散后的方块电阻以70±2Ω/为准,经实验发现去PSG后的硅片少子寿命要比扩散后的硅片少子寿命高,对比通源前通氧(A扩散工艺)和不通氧(B扩散工艺)两种扩散工艺扩散的硅片在去PSG后少寿命的涨幅及对最终制成电池片的转换效率的影响,结果表明,A扩散工艺的硅片比B扩散工艺的硅片在去PSG后的少子寿命增量更大,平均增量可达2.50μs,并且最终制成的电池片效率高出0.08％,短路电流增加0.012A,也更具稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨佳		4	7	2.0	2.0
2	杨利利		4	7	2.0	2.0
3	武建		2	2	1.0	1.0