Si离子注入和退火温度对GaN黄光的影响

• 作者: 张纪才 戴伦 秦国刚
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 离子注入 光致发光谱 黄光
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 页码范围: 342-346
• 页数: 5页
• 分类号: TN12
• 字数: 2971字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2002.05.005

摘要

对光致发光谱中无黄光和有强黄光的两组GaN样品作了Si离子注入,研究了Si离子注入及退火温度对其黄光的影响.当退火温度升高时,不管是哪一组样品,其黄光强度和黄光强度与带边发光带强度之比都是增强的.无黄光的GaN样品在注入Si离子并经退火后出现明显的黄光;而有强黄光的GaN样品经相同处理后,其黄光强度较原生样品大大降低.实验结果表明离子注入加上适当退火会在GaN中引入与黄光有关的深受主缺陷从而使黄光强度增加,此外,在离子注入过程中GaN表面不仅可以吸附离子注入引入的点缺陷,而且还能够吸附GaN中原有的与黄光有关的点缺陷,这种吸附作用随离子注入剂量增加而变强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦国刚	北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室	20	128	6.0	10.0
2	戴伦	北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室	6	9	2.0	2.0