高剂量Ge离子注入直接形成nc-Ge的研究

• 作者: 卢铁城 曾颖秋 李恒 杨经国 林理彬 沈丽如 邹萍
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ge纳米晶 离子注入 非晶态-晶态相变
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 419-423
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.11|O491.4
• 字数: 3642字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.04.012

摘要

报道了分别采用剂量为1×1016,1×1017,5×1017和1×1018cm-2的高剂量Ge离子注入,不需退火即可在SiO2中直接形成Ge纳米晶的新现象.采用掠入射X射线衍射和激光喇曼谱等实验手段对样品进行了物相分析.结果表明,高剂量Ge离子注入可在SiO2薄膜中直接形成Ge纳米晶(nc-Ge);非晶态Ge向晶态Ge发生相变的阈值剂量约为1×1017cm-2,离子注入直接形成的nc-Ge内部具有较大压应力,随着注入剂量的提高,nc-Ge的尺寸和含量均有提高.对纳米晶形成机理的研究认为,在Ge离子注入剂量达到阈值,此时膜中Ge非晶态团簇浓度达到饱和甚至过饱和,新入射的Ge离子把动能传递给膜中的非晶态Ge原子,使其部分析出并团聚形成能量最低且最稳定的Ge纳米晶态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李恒	四川大学物理系和教育部辐射物理及技术重点实验室	19	124	7.0	10.0
2	杨经国	四川大学物理系和教育部辐射物理及技术重点实验室	56	537	13.0	18.0
3	沈丽如		52	377	11.0	16.0
4	卢铁城	四川大学物理系和教育部辐射物理及技术重点实验室	71	351	9.0	14.0
5	邹萍	四川大学分析测试中心	27	214	9.0	13.0
6	曾颖秋	四川大学物理系和教育部辐射物理及技术重点实验室	2	6	1.0	2.0