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用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅
用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅
作者:
伊福庭
叶甜春
孙加兴
谢常青
陈大鹏
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
X射线光刻
PHEMT
T型栅
三层胶工艺
摘要:
采用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅,一次曝光,分步显影,基本解决了不同胶层间互融的问题.该方法制作效率高,所制作的T型栅形貌好,头脚比例可控,基本满足器件制作要求.
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文献信息
篇名
用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
X射线光刻
PHEMT
T型栅
三层胶工艺
年,卷(期)
2004,(3)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
358-360
页数
3页
分类号
TN305.7
字数
1515字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2004.03.024
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
叶甜春
中国科学院微电子中心
200
911
14.0
18.0
2
陈大鹏
中国科学院微电子中心
79
466
10.0
17.0
3
谢常青
中国科学院微电子中心
50
258
9.0
12.0
4
孙加兴
中国科学院微电子中心
6
56
5.0
6.0
5
伊福庭
中国科学院高能物理研究所
2
13
2.0
2.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
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引文网络
引文网络
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共引文献
(5)
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节点文献
引证文献
(6)
同被引文献
(7)
二级引证文献
(4)
1991(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
1999(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
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参考文献(1)
二级参考文献(0)
2002(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2004(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2005(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2006(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2008(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
2009(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2012(3)
引证文献(2)
二级引证文献(1)
2013(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
2015(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
2016(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
X射线光刻
PHEMT
T型栅
三层胶工艺
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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