新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT

• 作者: 刘新宇 吴德馨 和致经 陈震 魏珂
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PHEMT 双平面掺杂 双选择腐蚀栅槽 击穿电压
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 454-457
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2353字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.04.019

摘要

设计并制作了双异质结双平面掺杂的Al0.24Ga0.76As/In0.22Ga0.78As/Al0.24Ga0.76As功率PHEMT器件,采用双选择腐蚀栅槽结构,有效提高了PHEMT器件的输出电流和击穿电压.对于1μm栅长的器件,最大输出电流为500mA/mm,跨导为275mS/mm,阈值电压为-1.4V,最大栅漏反向击穿电压达到了33V.研究结果表明,在栅源间距一定时,栅漏间距对于器件的输出电流、跨导和击穿电压有很大关系,是设计功率PHEMT的关键之一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子中心	141	717	13.0	18.0
2	吴德馨	中国科学院微电子中心	58	345	11.0	14.0
3	和致经	中国科学院微电子中心	36	229	9.0	13.0
4	魏珂	中国科学院微电子中心	24	134	5.0	10.0
5	陈震	中国科学院微电子中心	10	69	4.0	8.0