双平面掺杂和单平面掺杂PHEMT器件的性能比较

• 作者: 刘新宇 吴德馨 和致经 郑英奎 陈震
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 平面掺杂 线性度
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 247-251
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 626字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.03.002

摘要

研制了Al0.24Ga0.76As/In0.22Ga0.78As单平面掺杂PHEMT器件(SH-PHEMT)和双平面掺杂PHEMT器件(DH-PHEMT),并对其特性进行了比较.由于采用了双异质结、双平面掺杂的设计,DH-PHEMT能将载流子更好地限制在沟道中,得到更大的二维电子气浓度和更均匀的二维电子气分布,这些都有利于提高器件的性能.因此,DH-PHEMT器件具有更好的线性度,在较大的栅压范围内具有高的跨导和更大的电流驱动能力.这说明DH-PHEMT器件更加适用于高线性度应用的微波功率器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	吴德馨	中国科学院微电子研究所	58	345	11.0	14.0
3	和致经	中国科学院微电子研究所	36	229	9.0	13.0
4	郑英奎	中国科学院微电子研究所	15	43	4.0	6.0
5	陈震	中国科学院微电子研究所	10	69	4.0	8.0