新结构复合收集区InGaP/GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性

• 作者: 刘训春 孙海锋 王润梅 石瑞英 袁志鹏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电子运动速度过冲 复合收集区 异质结双极晶体管 直流和射频特性
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 316-320
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 2332字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.03.016

摘要

利用电子运动速度过冲现象,设计出了一种新结构复合收集区InGaP/GaAs异质结双极晶体管.这种结构不仅提高了器件的截止频率,而且降低了影响器件直流性能的补偿电压.所制备器件的截止频率达到77GHz,直流电流增益高达100,补偿电压低至70mV.同时,把所制备器件的微波和直流特性与已发表的文献进行了比较,充分显示了这种结构的优越性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙海锋	中国科学院微电子中心	12	45	4.0	6.0
2	石瑞英	四川大学物理系	28	141	7.0	11.0
3	刘训春	中国科学院微电子中心	43	222	9.0	11.0
4	王润梅	中国科学院微电子中心	15	78	6.0	8.0
5	袁志鹏	中国科学院微电子中心	11	33	3.0	5.0