用离子注入GaAs晶片实现闪光灯泵浦Nd∶YAG激光器中的被动调Q

• 作者: 张志刚 李朝阳 王勇刚 马骁宇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入GaAs 被动调Q 闪光灯泵浦
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 148-151
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.3
• 字数: 696字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.02.006

摘要

对半绝缘GaAs晶片进行As+注入,注入能量为400keV,剂量为1016cm-2.用这种注入条件下的GaAs晶片作为吸收体和输出镜,在被动调Q闪光灯泵浦的Nd∶YAG激光器上获得了62ns的单脉冲宽度.这是迄今为止国内最好的报道结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马骁宇	中国科学院半导体研究所	93	616	12.0	21.0
2	王勇刚	中国科学院半导体研究所	37	279	10.0	14.0
3	李朝阳	北京工业大学数理学院	9	49	5.0	6.0
4	张志刚	北京工业大学数理学院	14	94	5.0	9.0