氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量理论计算

• 作者: 孙以材 范志新 陈玖琳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化物半导体 透明导电薄膜 最佳掺杂含量
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1382-1386
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 2696字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.11.006

摘要

以铝掺杂氧化锌(A1-doped ZnO,简称AZO)和锡掺杂氧化铟(Sn-dopedIn2O3,简称ITO)薄膜为例,建立了一个氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量的理论表达式,定量计算的结果AZO陶瓷靶材中铝含量的理论最佳值为C≈2.9894%(wt),ITO陶瓷靶材中锡含量的理论最佳值为C≈10.3114%(wt),与实验数据相符合.该理论经适当的修改和解释后也适用于某些其他电子薄膜材料的最佳掺杂含量问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙以材	河北工业大学应用物理系	117	1247	18.0	31.0
2	范志新	河北工业大学应用物理系	80	693	13.0	23.0
3	陈玖琳	河北工业大学应用物理系	5	172	3.0	5.0