定拉速生长对φ300 mm直拉硅单晶生长影响分析

• 作者: 娄中士 张俊 朱亮 高宇
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 化学
• 关键词: 硅单晶 直拉法 提拉速度
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 811-814,823
• 页数: 5页
• 分类号: O78|O613.72
• 字数: 3312字
• 语种: 中文

摘要

作为集成电路制备的衬底材料,对硅单晶的均匀性以及微缺陷的尺寸、密度要求极高.传统直拉法生长硅单晶过程中,通过拉速变化控制晶体直径,因此拉速始终处于波动状态.恒定拉速对晶体均匀性及缺陷密度、尺寸的影响研究较少.本研究实现了在35±0.7 mm/h的拉速范围内生长出直径300 mm硅单晶,对晶体片间和片内电阻率分布以及FPD缺陷分布进行了检测,结果显示,在更小拉速波动阶段,晶体的电阻率均匀性得到改善,FPD缺陷密度降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高宇		1	0	0.0	0.0
2	朱亮		1	0	0.0	0.0
3	张俊		1	0	0.0	0.0
4	娄中士		1	0	0.0	0.0