勾形磁场下直径300mm CZ Si 熔体中氧浓度分布的数值模拟

• 作者: 宇慧平 常新安 张峰翊 隋允康
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 单晶硅 勾形磁场 氧浓度 紊流模型
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 517-523
• 页数: 7页
• 分类号: O78
• 字数: 4943字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.018

摘要

采用低雷诺数K-ε紊流模型,考虑自然对流、晶体旋转和坩埚旋转等因素,对晶体直径为300mm,磁场强度变化范围在0～0.12T条件下,熔体硅内流场及氧的浓度分布、磁场分布等作了数值模拟.计算中采用有限体积法,运用SIMPLE(semi-implicit method for pressure linked equations)算法耦合压力和速度场,动量方程、能量方程中对流项的离散采用QUICK(quadratic upwind interpolation of convective kinematics)格式,紊动能和耗散项方程中对流项的离散采用迎风格式.数值模拟结果表明,在勾形磁场作用下,熔体硅内的流场、氧的浓度分布与无磁场作用相比有较大不同,随着磁场强度的增加,生长界面处氧的浓度降低,并且磁场确实能有效地抑制熔体内的紊流,有利于晶体生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	隋允康	北京工业大学机电学院	183	2359	26.0	41.0
2	宇慧平	北京工业大学机电学院	38	239	9.0	13.0
3	常新安	北京工业大学材料学院	52	425	11.0	18.0
4	张峰翊		6	72	4.0	6.0