勾形磁场下提拉法生产单晶硅的数值模拟

• 作者: 宇慧平 张峰翊 王学锋 隋允康
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 提拉法 勾形磁场 单晶硅
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 217-222
• 页数: 6页
• 分类号: O78
• 字数: 4091字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.021

摘要

本文给出了提拉单晶硅时,勾形磁场强度的计算公式,并对单晶硅在有无勾形磁场情况下熔体内流场和氧的浓度分布进行了数值模拟,计算出磁场作用下磁场强度和洛伦兹力及有无磁场时流函数、垂直截面处的速度场和氧的浓度分布.通过分析表明,勾形磁场能使流动更为平稳,能有效地降低熔体内及生长界面氧的浓度,并对产生这一现象的机理作了理论分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	隋允康	北京工业大学机电学院	183	2359	26.0	41.0
2	宇慧平	北京工业大学机电学院	38	239	9.0	13.0
3	张峰翊		6	72	4.0	6.0
4	王学锋		4	63	3.0	4.0