预共晶条件下单晶硅接头的组织性能研究

• 作者: 孙兵兵 张赋升 李京龙 熊江涛 籍成宗
• 来源期刊: 电焊机
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅 扩散连接 Au-Si预共晶连接
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 焊接工艺
• 页码范围: 107-111
• 分类号: TG401
• 字数: 3646字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2303.2011.08.021

摘要

通过在单晶硅表面预制一层Au-Si熔敷层,利用Au -Si低温共晶原理实现预共晶条件下单晶硅的低温扩散连接.分析表明,在界面的共晶组织中,Si的生长形态受晶体学取向和生长环境共同作用.由于Au-Si互不相溶,随着温度的升高,晶粒呈枝蔓状生长,其中某些晶粒沿着基体生长并最终实现基体的桥状连接.分析认为,随着预共晶温度的升高,接头焊缝区域逐渐变窄,焊合率上升,连接强度提高,Si的生长形貌趋于规则,界面中孔洞的数量减少和尺寸减小且趋于均匀.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李京龙	西北工业大学摩擦焊接陕西省重点实验室	116	845	15.0	22.0
2	张赋升	西北工业大学摩擦焊接陕西省重点实验室	63	526	13.0	19.0
3	熊江涛	西北工业大学摩擦焊接陕西省重点实验室	64	603	14.0	22.0
4	籍成宗	西北工业大学摩擦焊接陕西省重点实验室	3	5	1.0	2.0
5	孙兵兵	西北工业大学摩擦焊接陕西省重点实验室	4	4	2.0	2.0