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半导体学报(英文版)2001年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年10期页码:摘要： 提出了一种新的适用于低电压工作的semi-adiabatic逻辑电路--Dual-Swing Charge-Recovery Logic(DSCRL).该电路由CMOS-latch-type...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要： 运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应.模拟的内容包括具有不同的势垒高度的金属-半导体接触在正向和反向偏置下的工作状态.分析模拟结果可知,隧穿电流在反向偏置下起主要的作用.同时还模...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要： 研究了电荷泵中电流源失配造成的假频分量,推导出了一个用于计算假频分量的公式.提供了两个数表用于直观了解参数改变时假频变化情况.最后对设计基于DLL的RF CMOS振荡器提供了一些参考方法.
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275. 高消光比偏振不灵敏电吸收调制器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要： 用一种新的方法制作出应用于光网络系统的电吸收调制器,应用应变InGaAs/InAlAs材料做多量子阱,实验测量的调制器调制性能显示出器件的偏振不相关性,以及其高消光比(＞40dB)和低电容(...
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276. 钕离子注入单晶硅光致发光的起源刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要： Nd离子注入到(111)单晶硅中形成钕掺杂层,室温下,紫外光(220nm)激发得到了钕掺杂层的蓝紫光的光致发光谱,且发光强度随离子注入的剂量增大而增强.X射线光电子能谱分析表明掺杂层存在Si...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要： 以铝掺杂氧化锌(A1-doped ZnO,简称AZO)和锡掺杂氧化铟(Sn-dopedIn2O3,简称ITO)薄膜为例,建立了一个氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量的理论表达式,定量计算...
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278. 钇钡铜氧半导体薄膜的宽光谱响应特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要： 对以Si为衬底的钇钡铜氧(分子式:Y1Ba2Cu3O7-δδ≥0.5,简称:YBCO)半导体薄膜的宽光谱响应特性进行了研究.采用该薄膜作灵敏元的单元测辐射热计分别对红外波段(1-15μm)、...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要： 采用能量2GeV、剂量1010-1013cm-2的Ar+辐照P型Cd096Zno.04Te材料,对辐照前后和不同辐照剂量的样品进行了电学测试和光致发光研究.实验结果和分析表明,Ar+辐照在C...
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280. 闪锌矿GaN(001)表面的电子结构刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要： 采用混合基表示的第一原理赝势方法,计算了闪锌矿结构的GaN(001)(1×1)干净表面的电子结构.分析了得到的各原子分态密度、面电荷密度分布以及表面能带结构等性质,比较了GaN(001)的G...
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281. 氮杂质对直拉单晶硅中位错的作用刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要： 通过常温下压痕之后的高温热处理实验,研究了掺氮直拉硅单晶(NCZSi)中氮杂质对位错滑移的钉扎作用,以及塑性变形能在热处理过程中通过位错的滑移释放的机理.实验结果表明氮杂质对位错有着较强的钉...
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282. 有机染料在多孔铝中的发光研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要： 用电化学方法制备的多孔阳极氧化铝具有孔径大小均匀、相互平行、排列规则的微孔结构,可作为多种发光材料的透明基底.以多孔铝为载体,将有机染料嵌入多孔铝孔中,获得有机染料固体镶嵌膜,测量了镶嵌膜的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要： 用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化(RTN)10 nm SiO2膜,制备了<100>和<111>晶向Si衬底上的Si-SiOxNy-Al电容结构.研究了电子从〈100〉和〈111>不同晶向N型硅...
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284. 硅单晶生长中氩气流动对氧碳含量的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要： 通过对406mm热场中氩气的流动方式及流速进行调整,得到了氧碳含量不同的硅单晶,并通过数值模拟计算将氩气流线图描绘出来,对实验结果进行了分析,得到了降低氧碳含量的最佳氩气流场分布.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要： 通过对Pt/AI0 22Ga078N/GaN肖特基二极管的C-V测量,研究分析了A1022Ga078N/GaN异质结界面二维电子气(2DEG)浓度及其空间分布.测量结果表明,Al0.22Ga...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要： 用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2×1017cm-a,...
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287. 离子束外延生长半导体性锰硅化合物刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要： 利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物,Mn27Si47和Mn15Si26.俄歇电子谱深度组分测量结果表明,在单晶Si的表面淀积了一薄层厚度约为37.5nm的Mn,另一部...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要： 通过理论分析与计算机模拟,给出了以提高跨导为目标的Si/SiGe PMOSFET优化设计方法,包括栅材料的选择、沟道层中Ge组分及其分布曲线的确定、栅氧化层及Si盖帽层厚度的优化和阈值电压的...
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289. 碲镉汞光伏器件的电极界面参数刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要： 利用热场发射理论和数值计算方法,分析了碲镉汞光伏器件的电流-电压特性,提取了金属-半导体(MS)界面参数,并对这些参数进行了讨论.结果表明,Sn/Au金属膜-碲镉汞薄膜PN器件的电极界面的势...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要： 对GAT(Gate Associated Transistor)型高速高压功率开关管提出了一些新的结构改进设想,包括两种新的平面版图设计以及改变栅区掺杂浓度,以解决其最大集电极电流远小于常规...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要： 介绍了一个工作于快照模式的CMOS焦平面读出电路的低功耗新结构-OESCA(Odd-Even SnapshotCharge Amplifier)结构该结构像素电路非常简单,仅用三个NMOS管...
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292. 一种高效MOS半波整流电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要： 针对传统半波整流电路的不足提出了基于MOS工艺的改进方法及电路.该电路利用MOS工艺的寄生电容特性形成电荷转运,有效地提高了半波整流电路的整流效率,缩短了上电时间并在一定程度上减小了纹波系数...
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293. MSM光探测器的直流特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要： 在稳态条件下金属-半导体-金属(MSM)光探测器的光电流一维模型可以通过求解电流连续方程和传输方程来建立并求解.在这种条件下,器件内部的载流子分布情况和总体光电流可以得到解析解而不用数值方法...
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294. MOS器件的质子总剂量效应刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要： 介绍了几种加固和非加固MOS电路的质子辐照总剂量效应实验,质子束的能量为9、7、5、2MeV.实验结果表明,在相同的吸收剂量下,MOS器件累积电离辐射损伤与质子能量成正比.还给出了栅极偏压对...
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295. 一种新的等离子体边缘损伤的测量方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年11期页码:摘要： 在等离子体刻蚀多晶硅工艺中,栅边缘氧化层直接暴露在等离子体环境中,由于UV射线的作用栅边缘处将会产生损伤,这种损伤包含了大量的界面态和氧化层陷阱.文中讨论了等离子体边缘损伤与圆片位置关系、天...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年12期页码:摘要： 结合实验中观察到的光激发电荷畴现象,提出光激发电荷畴理论模型描述高倍增GaAs光电导开关的瞬态特性,讨论了高倍增GaAs光电导开关的非线性特性如上升时间、时间延迟和光能、电场阈值,光激发电荷...
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297. 新颖的衬底pn结隔离型硅射频集成电感刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年12期页码:摘要： 提出了一种新的减小硅集成电感衬底损耗的方法.这种方法是直接在硅衬底形成间隔的pn结隔离以阻止螺旋电感诱导的涡流.衬底pn结间隔能用标准硅工艺实现而不需另外的工艺.本文设计和制作了硅集成电路,...
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298. 一种快速的组合电路RTL功耗估算器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年12期页码:摘要： 提出了一种快速分析组合RTL模块功耗的方法,经过建立模块功耗库,可快速计算出任意输入向量驱动的电路功耗.该方法使用泰勒一阶近似的公式模型,并在建库过程中采用Monte-Carlo模拟方法.I...
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299. 一种实用的磷化铟MMIC背面工艺技术刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年12期页码:摘要： 采用湿法技术发展了磷化铟MMIC的背面通孔刻蚀工艺,PMMA用作粘片剂,InP衬底粘附于玻璃版上,溅射钽膜用作湿法刻蚀掩膜,HCl+H3PO4腐蚀液实现100μm的通孔腐蚀.已证实这种湿法通...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年12期页码:摘要： 采用在阳极化反应时改变电流强度的办法,在高掺杂的P型硅(111)衬底上制备了具有不同多孔度的双层结构多孔硅层.用超高真空电子束蒸发技术在多孔硅表面外延生长了一层高质量的单晶硅膜.在室温下,该...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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