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低功耗64×64 CMOS快照模式焦平面读出电路新结构
低功耗64×64 CMOS快照模式焦平面读出电路新结构
作者:
吉利久
喻松林
李晓勇
陈中建
韩建忠
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
焦平面
读出电路
OESCA结构
低功耗设计
快照
摘要:
介绍了一个工作于快照模式的CMOS焦平面读出电路的低功耗新结构-OESCA(Odd-Even SnapshotCharge Amplifier)结构该结构像素电路非常简单,仅用三个NMOS管;采用两个低功耗设计的电荷放大器做列读出电路,分别用于奇偶行的读出,不但可有效消除列线寄生电容的影响,而且列读出电路的功耗可降低1 5%,因此OESCA新结构特别适于要求低功耗设计的大规模、小像素阵列焦平面读出电路采用OESCA结构和1.2μm双硅双铝标准CMOS工艺设计了一个64×64规模焦平面读出电路实验芯片,其像素尺寸为50μm×50μm,读出电路的电荷处理能力达10.37pC.详细介绍了该读出电路的体系结构、像素电路、探测器模型和工作时序,并给出了精确的SPICE仿真结果和试验芯片的测试结果.
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CMOS
晶振
低功耗
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
相关基金
期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
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文献信息
篇名
低功耗64×64 CMOS快照模式焦平面读出电路新结构
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
焦平面
读出电路
OESCA结构
低功耗设计
快照
年,卷(期)
2001,(11)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1450-1457
页数
8页
分类号
TN402
字数
4069字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2001.11.020
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
吉利久
北京大学微电子所
47
298
11.0
15.0
2
陈中建
北京大学微电子所
22
104
6.0
9.0
3
喻松林
20
149
5.0
11.0
4
李晓勇
北京大学微电子所
2
8
1.0
2.0
5
韩建忠
3
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2.0
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2001(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
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二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
焦平面
读出电路
OESCA结构
低功耗设计
快照
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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