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一个128×128 CMOS快照模式焦平面读出电路设计
一个128×128 CMOS快照模式焦平面读出电路设计
作者:
吉利久
喻松林
李晓勇
陈中建
韩建忠
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
焦平面
读出电路
直接注入
快照
DCA结构
摘要:
本文介绍了一个工作于快照模式的CMOS焦平面读出电路新结构--DCA(Direct-injection Charge Amplifier)结构.该结构像素电路仅用4个MOS管,采用特殊的版图设计并用PMOS管做复位管,既可保证像素内存储电容足够大,又可避免复位电压的阈值损失,从而提高了读出电路的电荷处理能力.由于像素电路非常简单,且该结构能有效消除列线寄生电容Cbus的影响,因此该结构非常适用于小像素、大规模的焦平面读出电路.采用DCA结构和1.2μm双硅双铝(DPDM-Double-Poly Double-Metal)标准CMOS工艺设计了一个128×128规模焦平面读出电路试验芯片,其像素尺寸为50×50μm2,电荷处理能力达11.2pC.本文详细介绍了该读出电路的体系结构、像素电路、探测器模型和工作时序,并给出了精确的HSPICE仿真结果和试验芯片测试结果.
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文献信息
篇名
一个128×128 CMOS快照模式焦平面读出电路设计
来源期刊
电子学报
学科
工学
关键词
焦平面
读出电路
直接注入
快照
DCA结构
年,卷(期)
2001,(11)
所属期刊栏目
学术论文
研究方向
页码范围
1454-1457
页数
4页
分类号
TN46
字数
3007字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0372-2112.2001.11.004
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
吉利久
北京大学微电子所
47
298
11.0
15.0
2
陈中建
北京大学微电子所
22
104
6.0
9.0
3
喻松林
20
149
5.0
11.0
4
李晓勇
北京大学微电子所
2
8
1.0
2.0
5
韩建忠
3
16
2.0
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引证文献(0)
二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
焦平面
读出电路
直接注入
快照
DCA结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子学报
主办单位:
中国电子学会
出版周期:
月刊
ISSN:
0372-2112
CN:
11-2087/TN
开本:
大16开
出版地:
北京165信箱
邮发代号:
2-891
创刊时间:
1962
语种:
chi
出版文献量(篇)
11181
总下载数(次)
11
总被引数(次)
206555
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