基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
本文介绍了一个工作于快照模式的CMOS焦平面读出电路新结构--DCA(Direct-injection Charge Amplifier)结构.该结构像素电路仅用4个MOS管,采用特殊的版图设计并用PMOS管做复位管,既可保证像素内存储电容足够大,又可避免复位电压的阈值损失,从而提高了读出电路的电荷处理能力.由于像素电路非常简单,且该结构能有效消除列线寄生电容Cbus的影响,因此该结构非常适用于小像素、大规模的焦平面读出电路.采用DCA结构和1.2μm双硅双铝(DPDM-Double-Poly Double-Metal)标准CMOS工艺设计了一个128×128规模焦平面读出电路试验芯片,其像素尺寸为50×50μm2,电荷处理能力达11.2pC.本文详细介绍了该读出电路的体系结构、像素电路、探测器模型和工作时序,并给出了精确的HSPICE仿真结果和试验芯片测试结果.
推荐文章
128×128 IRFPA CMOS读出电路
红外焦平面阵列
CMOS
读出电路
直接注入
计算机仿真
低功耗64×64 CMOS快照模式焦平面读出电路新结构
焦平面
读出电路
OESCA结构
低功耗设计
快照
128×128红外焦平面阵列时序分析与温控电路设计
非致冷红外焦平面阵列
热电稳定器
读出电路
现场可编程门阵列
CMOS电路IDDQ测试电路设计
IDDQ测试
测试方法
电流检测
CMOS电路
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 一个128×128 CMOS快照模式焦平面读出电路设计
来源期刊 电子学报 学科 工学
关键词 焦平面 读出电路 直接注入 快照 DCA结构
年,卷(期) 2001,(11) 所属期刊栏目 学术论文
研究方向 页码范围 1454-1457
页数 4页 分类号 TN46
字数 3007字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0372-2112.2001.11.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吉利久 北京大学微电子所 47 298 11.0 15.0
2 陈中建 北京大学微电子所 22 104 6.0 9.0
3 喻松林 20 149 5.0 11.0
4 李晓勇 北京大学微电子所 2 8 1.0 2.0
5 韩建忠 3 16 2.0 3.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (2)
节点文献
引证文献  (8)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (9)
1982(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1996(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2001(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2004(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2005(2)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(1)
2006(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2007(2)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(1)
2008(3)
  • 引证文献(3)
  • 二级引证文献(0)
2009(3)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(1)
2014(2)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(2)
2015(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2017(2)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
焦平面
读出电路
直接注入
快照
DCA结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子学报
月刊
0372-2112
11-2087/TN
大16开
北京165信箱
2-891
1962
chi
出版文献量(篇)
11181
总下载数(次)
11
总被引数(次)
206555
论文1v1指导