钕离子注入单晶硅光致发光的起源

• 作者: 张通和 徐飞 易仲珍 程国安 肖志松
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光致发光 离子注入 稀土
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1377-1381
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 1447字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.11.005

摘要

Nd离子注入到(111)单晶硅中形成钕掺杂层,室温下,紫外光(220nm)激发得到了钕掺杂层的蓝紫光的光致发光谱,且发光强度随离子注入的剂量增大而增强.X射线光电子能谱分析表明掺杂层存在Si-O,Nd O,Si-Si和O O键.发光主要是由于Nd3+的4f内层电子的辐射跃迁所致,同时,离子注入带来的缺陷和损伤也能发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张通和	北京师范大学低能核物理研究所射线束技术与材料改性教育部重点实验室	49	1052	11.0	32.0
2	程国安	南昌大学材料科学与工程系	17	202	5.0	14.0
3	徐飞	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	22	43	3.0	6.0
4	易仲珍	北京师范大学低能核物理研究所射线束技术与材料改性教育部重点实验室	6	7	2.0	2.0
5	肖志松	北京师范大学低能核物理研究所射线束技术与材料改性教育部重点实验室	8	10	2.0	2.0