高倍增GaAs光电导开关的光激发电荷畴模型

• 作者: 施卫
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电导开关 高倍增模式 光激发电荷畴
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1481-1485
• 页数: 5页
• 分类号: TN256
• 字数: 693字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.12.001

摘要

结合实验中观察到的光激发电荷畴现象,提出光激发电荷畴理论模型描述高倍增GaAs光电导开关的瞬态特性,讨论了高倍增GaAs光电导开关的非线性特性如上升时间、时间延迟和光能、电场阈值,光激发电荷畴的成核、生长以及畴内发生的碰撞电离和辐射复合决定了高倍增GaAs光电导开关的引发和维持相,理论计算结果与实验测试相符合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施卫	西安理工大学应用物理系	85	925	17.0	25.0