高压超快GaAs光电导开关的研制

• 作者: 施卫 梁振宪
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电导开关 Lock-on效应 脉冲功率技术
• 年，卷（期）: 1998,（11）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 104-106
• 分类号: TN0
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.1998.11.022

摘要

本文首次报导了采用全固态绝缘、微带线低电感输出的Si-GaAs高压超快光电导开关的研制结果.该器件的耐压强度为35kV/cm,典型的电流脉冲上升时间为200ps,电流达100A.并在实验中观测到典型的高倍增(Lock-on效应)现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施卫	西安理工大学应用物理系	85	925	17.0	25.0
2	梁振宪	西安交通大学电气工程学院	2	73	2.0	2.0