高倍增超快高压GaAs光电导开关触发瞬态特性分析

• 作者: 施卫 梁振宪
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电导开关 Lock-on效应 碰撞电离
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 20-23,19
• 页数: 5页
• 分类号: TN201
• 字数: 6054字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2000.02.007

摘要

首次提出"发光畴"模型对强电场下GaAs光电导开关高倍增工作模式的物理机制进行解释.其要点是:光注入载流子引起开关电场畸变,开关偏置在触发电场阈值下因负阻效应产生高场畴,畴内发生碰撞电离引起载流子的雪崩倍增,相伴而生的辐射复合发射光子替代了已消失的触发光脉冲,畴的运动与发光使载流子以108cm/s的速度穿越电极间隙,畴生存条件决定Lock-on电场,当外电路的控制使开关电场不能维持畴的生存时,开关电阻恢复.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施卫	西安理工大学应用物理系	85	925	17.0	25.0
2	梁振宪	西安交通大学电气工程学院	2	73	2.0	2.0