LT-GaAs 飞秒光电导特性

• 作者: 廖睿 张海潮 文锦辉 林位株 赖天树 郭冰
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 飞秒激光 LT-GaAs 超快光电导开关
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 179-183
• 页数: 5页
• 分类号: TN2
• 字数: 2607字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2001.03.005

摘要

采用飞秒脉冲光电探测技术研究低温生长砷化镓光电导开关超快瞬态响应特性.实验测得不同激发波长或偏置电压下LT-GaAs光电导开关瞬态响应驰豫时间约350～390fs,由实验数据计算得到电子迁移率约1000cm2/V*s.由导出的瞬态光电流相关响应归一化表达式,对实验曲线进行数据拟合,结果与实验曲线吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海潮	中山大学物理系	11	44	4.0	6.0
2	文锦辉	中山大学物理系	26	120	7.0	10.0
3	郭冰	中山大学物理系	33	114	6.0	9.0
4	赖天树	中山大学物理系	28	108	7.0	9.0
5	廖睿	中山大学物理系	7	36	4.0	6.0