片上太赫兹天线集成器件LT-GaAs外延转移工艺

• 作者: 倪海桥 吴朝新 左剑 张存林 彭红玲 徐建星 汪韬 牛智川 田进寿 郭春妍
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 片上太赫兹天线集成 LT-GaAs 外延层转移 化学湿法腐蚀
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 页码范围: 220-224,234
• 页数: 6页
• 分类号: TN36
• 字数: 3515字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2017.02.016

摘要

提供了一种实现片上太赫兹天线集成器件光电导开关材料低温GaAs(LT-GaAs)外延层的转移工艺,使用HNO3-NH4OH-H2O-C3H8O7·H2O溶液-H2O2-HCl腐蚀体系化学湿法腐蚀分子束外延(MBE)生长的外延材料,Hall测试表明MBE生长的此外延材料电阻率在106 Ω·cm量级.剥离半绝缘GaAs (SI-GaAs)衬底层与Al09Ga0.1As牺牲层得到1.5μm LT-GaAs与环烯烃聚合物(COP)键合的结构.原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、高倍显微镜形貌表征表明剥离后的结构表面平整光滑,表面粗糙度(RMS)为2.28 nm,EDAX能谱仪分析显示该结构中不含Al组分,满足光刻形成光电导开关的要求.