高倍增GaAs光电导开关中的单电荷畴

• 作者: 张显斌 施卫 陈二柱
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电导开关 Lock-on效应 单极电荷畴
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 113-116
• 页数: 4页
• 分类号: TN201
• 字数: 2697字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.2001.02.001

摘要

给出了高倍增SI-GaAs光电导开关中在临界光能、电场阈值触发条件下的瞬态光激发电荷畴现象的实验结果,进一步讨论了生成畴的光、电阈值条件,提出用类似于耿畴的单电荷畴的物理模型来描述高倍增GaAs光电导开关中的Lock-on效应.分析了单电荷畴的形成和辐射发光的物理过程,并对Lock-on效应的典型现象作了物理解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张显斌	西安理工大学理学院	29	407	10.0	19.0
2	施卫	西安理工大学理学院	85	925	17.0	25.0
3	陈二柱	西安理工大学理学院	3	25	2.0	3.0