用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的奇特光电导现象

• 作者: 张显斌 戴慧莹 施卫
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电导开关 半绝缘GaAs EL2深能级
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 460-464
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2135字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.007

摘要

报道了用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的一种奇特光电导现象.GaAs光电导开关的电极间隙为4mm,当偏置电场分别为2.0和6.0kV/cm时,用脉冲能量为0.8mJ,宽度为5ns的激光触发开关,观察到开关输出的线性和非线性工作模式.当偏置电场增至9.5kV/cm,触发光脉冲能量在0.5～1.0mJ范围时,观察到奇特的光电导现象,开关先输出一个线性电脉冲,经过大约20～250ns时间延迟后,触发光脉冲消失,开关又输出一个非线性电脉冲.这一奇特光电导现象的物理机制与半绝缘GaAs中的反位缺陷和吸收机制有关.分析计算了线性与非线性电脉冲之间的延迟时间,结果与实验观察基本吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张显斌	西安理工大学应用物理系	29	407	10.0	19.0
2	施卫	西安理工大学应用物理系	85	925	17.0	25.0
3	戴慧莹	西安理工大学应用物理系	4	35	3.0	4.0